RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
70
71
Rund um -1% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2519
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link