RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
70
71
Intorno -1% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
70
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2519
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link