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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
55
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
55
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2078
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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