RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
55
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2078
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link