RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
55
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2078
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link