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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2354
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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