Comparaison de la RAM Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Note globale

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.8 13.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 10.4

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 29

Autour de -4% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2711 2354

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns