Confronto tra le RAM Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.8 13.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.8 10.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 29

Intorno -4% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2711 2354

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns