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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
3110
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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