RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сравнить
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB против Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
-->
Средняя оценка
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.7
18.0
Скорость записи, Гб/сек
5.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1130
3110
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link