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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2388
2427
Mushkin 991988 (996988) 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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