RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
92
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2938
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Informar de un error
×
Bug description
Source link