RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
92
En -197% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2605
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link