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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
92
Por volta de -197% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2605
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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