RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
92
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2605
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link