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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
92
En -318% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3075
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AD64C1D1624E1B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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