RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
92
Около -318% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3075
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link