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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
54
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
53
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2356
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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