RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
54
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
53
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
10.3
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2356
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link