RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
54
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
53
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
10.3
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2356
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link