RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
54
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2356
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link