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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
71
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.6
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3837
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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