RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3837
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link