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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
71
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.6
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
16.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3837
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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