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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Puntuación global
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
63
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
30
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
3090
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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