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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Comparez
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Note globale
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
63
Autour de -110% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
30
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
3090
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaison des RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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