RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
AMD R744G2400U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2400U1S 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2862
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link