RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
AMD R744G2400U1S 4GB 考慮すべき理由
AMD R744G2400U1S 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 27
    周辺 -23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2862

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

AMD R744G2400U1S 4GB RAMの比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
メモリRAM