RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB

PNY Electronics PNY 2GB против AMD R744G2400U1S 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
AMD R744G2400U1S 4GB Причины выбрать
AMD R744G2400U1S 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 27
    Около -23% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.6 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 22
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 11.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2862

PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

AMD R744G2400U1S 4GB Сравнения RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
модули RAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
модули RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
модули RAM