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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3956
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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