RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3956
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link