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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3956
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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