PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 48
    En 44% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.8 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.7 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 10600
    En 2.42 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 48
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 16.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 15.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 3047
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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