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PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
48
Por volta de 44% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
48
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3047
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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