RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3047
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link