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PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3208
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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