RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3208
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link