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PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
1884
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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