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PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

PNY Electronics PNY 2GB Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 5.3
    Valor medio en las pruebas
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Razones a tener en cuenta
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 27
    En -4% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 11.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 5.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 1884

PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Memoria RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Memoria RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Memoria RAM
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Memoria RAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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Memoria RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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Memoria RAM