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PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
5.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
5.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1884
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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