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PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 5.3
    テスト平均値
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB 考慮すべき理由
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 27
    周辺 -4% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 5.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 1884

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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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