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PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO M418039 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
INTENSO M418039 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO M418039 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
27
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
20
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2414
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
INTENSO M418039 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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