PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO M418039 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs INTENSO M418039 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 7.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    20 left arrow 27
    Wokół strony -35% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16 left arrow 13.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO M418039 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 20
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 16.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 7.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2274 left arrow 2414
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania