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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2288
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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