PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Puntuación global
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 15.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 10.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 2288
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones