PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Pontuação geral
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15 left arrow 13.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.9 left arrow 8.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.8 left arrow 15.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 10.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2274 left arrow 2288
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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