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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2288
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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