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PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2781
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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