RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2781
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link