RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3156
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link