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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3156
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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