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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3156
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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