RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3156
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link