PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Puntuación global
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 28
    En 4% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.6 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 11.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 2648
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones