RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2648
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link