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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 4% 低遅延
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB 考慮すべき理由
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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